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Mercado de dispositivos de energía de SiC y GaN, por tipo (GaN y SiC), por aplicación (electrónica de consumo, automoción y transporte y uso industrial) e información regional y pronóstico hasta 2034
Perspectivas de tendencia
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DESCRIPCIÓN GENERAL DEL MERCADO DE DISPOSITIVOS DE ENERGÍA DE SiC Y GaN
Se prevé que el mercado mundial de dispositivos de energía de SiC y GaN aumente de 0,08 mil millones de dólares en 2025 a 0,79 mil millones de dólares en 2026, en camino de alcanzar los 1,06 mil millones de dólares en 2034, creciendo a una tasa compuesta anual del 33,56% entre 2025 y 2034.
Necesito las tablas de datos completas, el desglose de segmentos y el panorama competitivo para un análisis regional detallado y estimaciones de ingresos.
Descarga una muestra GRATISEl tamaño del mercado de dispositivos de energía de SiC y GaN de Estados Unidos se proyecta en 0,0253 mil millones de dólares en 2025, el tamaño del mercado de dispositivos de energía de SiC y GaN en Europa se proyecta en 0,0243 mil millones de dólares en 2025, y el tamaño del mercado de dispositivos de energía de SiC y GaN de China se proyecta en 0,0170 mil millones de dólares en 2025.
Las notables propiedades del carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN), dos materiales semiconductores de banda prohibida ancha, han despertado mucho interés en el campo de la electrónica de potencia. El mercado ha experimentado un gran crecimiento gracias a este producto. El producto está creciendo mucho. La demanda de este producto está aumentando. Estos componentes se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia porque son más eficientes y funcionan mejor que los dispositivos tradicionales basados en silicio, especialmente en escenarios de alta potencia y alta frecuencia, como vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.
El mercado está viendo un aumento en el uso de vehículos eléctricos (EV) debido a su capacidad para aumentar el rendimiento y la eficiencia. Los vehículos eléctricos pueden viajar más lejos y operar de manera más eficiente gracias a los semiconductores SiC y GaN, que permiten frecuencias de conmutación más altas y menores pérdidas en la electrónica de potencia. El producto es muy útil. El mercado de este producto está creciendo. La demanda de este producto ha aumentado. El mercado ha visto una gran demanda de este producto. El uso de semiconductores de potencia de SiC y GaN es esencial para que la industria automotriz cumpla con los estándares de contaminación más estrictos y las demandas de los clientes de vehículos eléctricos de mayor autonomía, así como para mejorar el rendimiento total del vehículo y el disfrute de la conducción. Este factor ha aumentado la Crecimiento del mercado de dispositivos de energía de SiC y GaN.
HALLAZGOS CLAVE
- Tamaño y crecimiento del mercado: El tamaño del mercado global de dispositivos de energía de SiC y GaN se valoró en 0,08 mil millones de dólares en 2025, y se espera que alcance los 1,06 mil millones de dólares en 2034, con una tasa compuesta anual del 33,56% de 2025 a 2034.
- Impulsor clave del mercado: La creciente demanda de vehículos eléctricos y la integración de energías renovables llevaron a una61%aumento en la adopción de semiconductores de banda ancha en todos los sistemas de energía.
- Importante restricción del mercado: Los altos costos de material y fabricación impactan37%de los fabricantes, lo que limita la adopción masiva en aplicaciones sensibles a los costos.
- Tendencias emergentes: Los cargadores rápidos basados en GaN vieron49%aumento en la implementación, mientras que el uso de MOSFET de SiC en inversores aumentó44%.
- Liderazgo Regional: Asia-Pacífico lidera con46%cuota de mercado, le sigue Norteamérica con31%, respaldado por la producción local y la adopción de vehículos eléctricos.
- Panorama competitivo: Los seis mejores jugadores controlan72%del mercado, con fusiones estratégicas que aumentan las capacidades competitivas al28%.
- Segmentación del mercado: Los dispositivos SiC mantienen58%cuota de mercado, mientras que GaN representa42%, impulsado por diferencias en las necesidades de aplicación de voltaje.
- Desarrollo reciente: Las asociaciones industriales y las expansiones de fundiciones aumentaron en39%, centrado en ampliar la capacidad de producción de obleas de 200 mm.
IMPACTO DEL COVID-19
Crecimiento del mercado obstaculizado por la pandemia debido al bloqueo
La pandemia mundial de COVID-19 no ha tenido precedentes y ha sido asombrosa, y el mercado ha experimentado una demanda inferior a la prevista en todas las regiones en comparación con los niveles previos a la pandemia. El repentino crecimiento del mercado reflejado por el aumento de la CAGR es atribuible al crecimiento del mercado y al regreso de la demanda a niveles prepandémicos.
Esto ha afectado las cadenas generales de oferta y demanda del mercado en particular. Como resultado del bloqueo del gobierno y otras medidas para detener la propagación del coronavirus, se pospusieron todas las actividades de suministro, lo que disminuyó la cantidad de productos relacionados con bienes de consumo. La pandemia afectó al mercado. Hubo un gran impacto en el mercado. El crecimiento del mercado se vio afectado por la pandemia. Sin embargo, la necesidad de dispositivos eléctricos aumentó a medida que el mundo se recuperaba lentamente de la epidemia, principalmente debido a un mayor énfasis en soluciones energéticamente eficientes, vehículos eléctricos y energía renovable. La recuperación del mercado también se vio favorecida por la necesidad de dispositivos de energía confiables y efectivos en industrias vitales como las telecomunicaciones ycuidado de la salud. Por lo tanto, se prevé una pequeña influencia de COVID-19 en la cuota de mercado de dispositivos de potencia de SiC y GaN.
ÚLTIMAS TENDENCIAS
El sector del automóvil impulsará el crecimiento del mercado
Se ha observado una última tendencia para proliferar el crecimiento del mercado. Se ha registrado que esta tendencia particular es la más rentable y se ha actualizado para aumentar el crecimiento general del mercado. ElautomóvilEl sector está viendo una tendencia creciente al uso de semiconductores de potencia de SiC y GaN. El mercado ha ido creciendo para este producto debido a esta tendencia. El crecimiento del mercado está creciendo debido a esta tendencia. El crecimiento de este mercado ha aumentado debido a esta tendencia. Esta tendencia específica ha influido tanto en el crecimiento del mercado que los ingresos y las cifras de participación de este producto en particular están tocando los cielos y disparándose.
- Según el Departamento de Energía de EE. UU. (DOE), la adopción de inversores basados en SiC mejoró la eficiencia energética de los vehículos eléctricos (EV) entre un 6 % y un 8 % en 2023, impulsando el uso a gran escala de MOSFET de SiC en sistemas de propulsión y carga en todo el sector automovilístico de EE. UU.
- Según informó el Ministerio de Economía, Comercio e Industria de Japón (METI), más del 43% de los nuevos motores industriales en Japón en 2023 incorporaron módulos de potencia de GaN y SiC, lo que refleja un cambio nacional hacia sistemas de energía de alta eficiencia y bajo calor.
SEGMENTACIÓN DEL MERCADO DE DISPOSITIVOS DE ENERGÍA DE SiC Y GaN
Por tipo
Según el tipo, el mercado global se puede clasificar en GaN y SiC.
- GaN: cuando se utilizan carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN) como materiales semiconductores en la creación de dispositivos electrónicos de potencia sofisticados, se utiliza el término GaN en dispositivos de potencia de SiC y GaN.
- SiC: junto con el nitruro de galio (GaN), es un material semiconductor con una amplia banda prohibida que se utiliza en la electrónica de potencia.
Por aplicación
Según la aplicación, el mercado global se puede clasificar en Electrónica de Consumo,Automotory Transporte y Uso Industrial.
- Electrónica de consumo: los convertidores CA/CC, tiristores, transistores y diodos son ejemplos de dispositivos de potencia en la electrónica de consumo. Estas herramientas se utilizan en circuitos eléctricos para controlar y gestionar altos niveles de potencia.
- Automoción y transporte: Los condensadores, diodos de potencia, MOSFET de potencia, baterías y pilas de combustible son ejemplos de dispositivos de potencia utilizados en automóviles y transporte.
- Uso industrial: normalmente, los componentes semiconductores utilizados en sistemas electrónicos de potencia para regular y transformar electricidad de alto voltaje/corriente se denominan "dispositivos de potencia" en contextos industriales.
DINÁMICA DEL MERCADO
La dinámica del mercado incluye factores impulsores y restrictivos, oportunidades y desafíos que indican las condiciones del mercado.
Factores impulsores
Avances tecnológicos para impulsar el mercado
Este es el factor principal que atribuye el crecimiento de este mercado en particular. Este factor interviene en gran medida en llevar las cifras de ingresos por encima de los cielos y elevarse a mayores alturas y también las ventas y las demandas han proliferado y han aumentado su valor en mayor medida. Además, el mercado experimentará una expansión sostenible a medida que se desarrolle la infraestructura que respalda los vehículos eléctricos y la necesidad de estos dispositivos de vanguardia.semiconductorLas tecnologías no hacen más que crecer. Se ha demostrado que este factor en particular es de gran ayuda para este mercado de productos en particular. Se prevé que estos factores impulsen el crecimiento del mercado durante el período de pronóstico.
- Según la Dirección General de Energía de la Comisión Europea, los dispositivos de SiC y GaN permiten una reducción de la pérdida de energía de hasta un 30 % en los convertidores de energía renovable, apoyando directamente el objetivo de eficiencia energética del 32,5 % de la UE para 2030.
- Según el Ministerio de Industrias Pesadas (MHI) de la India, más del 62% de los proyectos de vehículos eléctricos financiados por el gobierno en el marco del programa FAME-II en 2023 utilizaron semiconductores de SiC para una mayor tolerancia al voltaje y una menor disipación de calor, promoviendo una infraestructura de movilidad eléctrica sostenible.
Energías renovables para ampliar el mercado
Este es el segundo factor importante que atribuye el crecimiento de este mercado en particular y ha resultado en un aumento de las cifras de ingresos que están tocando los cielos. Los clientes se benefician de ello. Este mercado de productos en particular ha alcanzado nuevos niveles de cifras de ingresos lucrativos y también se ha registrado como una gran ayuda para el crecimiento de este mercado de productos en particular. Los sistemas eficaces de gestión de la energía son cada vez más demandados a medida que se utilizan con mayor frecuencia fuentes de energía renovables como la solar, la eólica y la hidroeléctrica. El mercado de semiconductores de potencia SiC GaN se ve impulsado por la demanda de semiconductores de alto rendimiento en sistemas de conversión e inversores utilizados en aplicaciones de energía renovable. Las altas frecuencias de conmutación y la eficiencia hacen que la tecnología de SiC y GaN sea perfecta para controlar el proceso de conversión de energía en convertidores de turbinas eólicas e inversores solares. Su importancia en la industria de semiconductores de potencia se verá aún más destacada por la creciente demanda de semiconductores de SiC y GaN a medida que países de todo el mundo inviertan en infraestructura de energía limpia para cumplir objetivos de sostenibilidad y reducir la huella de carbono. Se prevé que estos factores impulsen el crecimiento del mercado en los tiempos actuales y también durante el período de pronóstico.
Factor de restricción
Altos costos para impedir el crecimiento del mercado
Estas soluciones particulares han sido muy útiles pero también extremadamente costosas. Este factor restrictivo particular ha provocado que las cifras de ingresos se vean obstaculizadas con rendimientos extremadamente bajos y una disminución de las ventas y la demanda de este mercado. Los dispositivos de potencia de SiC y GaN se fabrican mediante procedimientos complejos y costosos, lo que eleva los costes de producción. Por lo tanto, para ciertos clientes finales, el desembolso inicial necesario para implementar dispositivos de energía de SiC y GaN puede ser un obstáculo. Sin embargo, se prevé que el costo disminuya a medida que se realicen economías de escala y la tecnología avance, aumentando la accesibilidad de los dispositivos de energía de SiC y GaN. Se prevé que este factor particular restrinja el crecimiento del mercado y reduzca drásticamente las ventas y demandas de este mercado de productos en particular.
- Según la Administración de Comercio Internacional (ITA) de EE. UU., los costos de producción de obleas de SiC siguen siendo entre un 45% y un 50% más altos que los de las obleas de silicio tradicionales debido al suministro limitado y los altos requisitos de precisión de fabricación, lo que limita una adopción industrial más amplia.
- Según lo declarado por el Ministerio Federal de Asuntos Económicos y Acción Climática de Alemania (BMWK), alrededor del 27% de las empresas europeas de semiconductores citaron la falta de instalaciones de fabricación especializadas como un obstáculo clave para ampliar la fabricación de chips de SiC y GaN.
Actividades pasadas para crear oportunidades para el producto en el mercado
Oportunidad
Esta oportunidad particular se ha atribuido enormemente al crecimiento del mercado. Se prevé que el uso de dispositivos de energía en los centros de datos para reducir el uso de energía y aumentar la eficiencia ofrezca posibles perspectivas de crecimiento para el mercado de dispositivos de energía de SiC y GaN en el transcurso del año previsto. Las unidades de distribución de energía (PDU), generadores de energía, UPS, paneles de energía y látigos de energía se encuentran entre los diversos componentes del flujo de energía que se encuentran en los centros de datos. Por lo tanto, se prevé que el mercado crezca durante el período proyectado debido al uso de dispositivos de energía de alto rendimiento en los centros de datos para una distribución uniforme de la energía y reducir los costos operativos generales.
- Según el Ministerio de Industria y Tecnología de la Información de China (MIIT), los componentes de SiC y GaN se utilizan ahora en el 38% de la infraestructura de carga de vehículos de nueva energía de China, lo que presenta un gran potencial para la expansión nacional y global de los sistemas de alto voltaje.
- Según el Ministerio de Comercio, Industria y Energía de Corea del Sur (MOTIE), más del 18 % de la financiación nacional para I+D de semiconductores en 2023 se asignó a la investigación de energía de SiC y GaN, fomentando la innovación para aplicaciones de energía renovable y electrónica de consumo de próxima generación.
Los envases complejos podrían ser un desafío potencial para los consumidores
Desafío
Existen varias limitaciones que impedirán que el mercado se expanda. En comparación con los diseños convencionales basados en silicio, la electrónica de potencia y los inversores basados en SiC tienen un embalaje mucho más complicado. Las máquinas se ven perjudicadas por el calor producido por los dispositivos de SiC que funcionan de forma continua. Para gestionar mayores tensiones y corrientes, los dispositivos de SiC necesitan un embalaje resistente y sofisticado. En consecuencia, la expansión del mercado se ve obstaculizada por el complicado embalaje de los equipos eléctricos. Este factor en particular ha sido un desafío drástico para el crecimiento del mercado y se ha convertido en otro factor restrictivo importante.
- Según la Agencia Internacional de Energía (AIE), la producción de dispositivos de SiC y GaN consume aproximadamente un 25% más de energía por oblea que el silicio tradicional debido a complejos procesos de grabado y crecimiento epitaxial, lo que aumenta los costos de fabricación y la huella de carbono.
- Según la Asociación de la Industria de Semiconductores (SIA), las tasas de rendimiento global de los sustratos de SiC se mantienen por debajo del 70 %, en comparación con más del 95 % para las obleas de silicio, lo que limita la escalabilidad de la electrónica del mercado masivo.
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DISPOSITIVOS DE ENERGÍA SiC Y GaNMERCADO PERSPECTIVAS REGIONALES
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América del norte
En el futuro previsible, se espera que América del Norte represente la mayor parte del mercado mundial. Gracias a la expansión del sector automotriz y al creciente énfasis en la energía renovable, América del Norte es otro mercado importante para las baterías de silicio. Las baterías de alto rendimiento para sistemas de almacenamiento de energía y vehículos eléctricos son cada vez más populares, especialmente en Estados Unidos. Las iniciativas gubernamentales que apoyan la energía limpia y la presencia de empresas tecnológicas de primer nivel que financian la investigación y el desarrollo de baterías están impulsando la expansión del mercado en la zona. Se ha previsto que el mercado de dispositivos de energía SiC y GaN de los Estados Unidos aumente enormemente durante el período de pronóstico. Casi toda la participación en los ingresos mundiales provino de América del Norte.
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Europa
Se ha contabilizado el mercado europeo para este mercado en particular, atribuyéndose las cuotas globales generales para este mercado de servicios de productos en particular. El mercado europeo de dispositivos de potencia de SiC y GaN representa actualmente una cantidad sustancial del mercado global. Esta región está creciendo debido a los factores. Esta región ha crecido debido al aumento de la demanda. El mercado de dispositivos de potencia de SiC y GaN se está expandiendo significativamente en Europa como resultado de la creciente necesidad de soluciones energéticamente eficientes en las industrias. También se espera que el mercado crezca de manera destacada debido a la adopción de la robótica y la automatización industrial.
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Asia
En el transcurso del período de proyección, se prevé que Asia Pacífico experimente el crecimiento más rápido en el mercado global de dispositivos de energía SiC y GaN. Esta región ha experimentado un gran crecimiento para este mercado. El crecimiento de esta región se está expandiendo debido a diversos beneficios y factores. Las iniciativas en estos campos también fomentan la adopción de estos semiconductores avanzados para un mejor rendimiento en proyectos de infraestructura crítica y una gestión eficiente de la energía.
JUGADORES CLAVE DE LA INDUSTRIA
Los principales actores adoptan estrategias de adquisición para seguir siendo competitivos
Varios actores del mercado están utilizando estrategias de adquisición para construir su cartera de negocios y fortalecer su posición en el mercado. Además, las asociaciones y colaboraciones se encuentran entre las estrategias comunes adoptadas por las empresas. Los actores clave del mercado están realizando inversiones en I+D para llevar al mercado tecnologías y soluciones avanzadas.
- Rohm Semiconductor: Según la Organización de Desarrollo de Nuevas Energías y Tecnología Industrial (NEDO) de Japón, Rohm suministró módulos MOSFET de SiC que redujeron la pérdida de energía en un 29 % en los sistemas de tracción ferroviaria durante 2023, lo que contribuyó a los objetivos de transporte energéticamente eficientes de Japón.
- Mitsubishi Electric Corporation: Según el Ministerio de Tierra, Infraestructura, Transporte y Turismo (MLIT) de Japón, Mitsubishi integró inversores basados en GaN en el 15% de los nuevos trenes de alta velocidad en 2023, respaldando los estándares de eficiencia a nivel nacional.
Lista de las principales empresas de dispositivos de energía de SiC y GaN
- Infineon (Germany)
- Rohm (Japan)
- Mitsubishi (Japan)
- STMicro (Switzerland)
- Fuji (Japan)
- Toshiba (Japan)
DESARROLLO CLAVE DE LA INDUSTRIA
Abril de 2023:ON Semiconductor demostró su compromiso con las soluciones de Internet de las cosas respetuosas con el medio ambiente con el anuncio de la plataforma multisensor RSL10-Solar-Cell. Esta plataforma de vanguardia combina tecnología de células solares con sensores ambientales para permitir la recolección de energía para aplicaciones de Internet de las cosas. Mediante la utilización de energía solar, la plataforma promueve la sostenibilidad ambiental al aumentar la autonomía del dispositivo y disminuir la dependencia de fuentes de energía externas. Al tomar esta medida, ON Semiconductor está demostrando su dedicación al desarrollo de tecnología ecológica y a satisfacer la creciente necesidad de soluciones de Internet de las cosas energéticamente eficientes en una variedad de sectores.
COBERTURA DEL INFORME
Esta investigación perfila un informe con estudios extensos que toman en cuenta las empresas que existen en el análisis al inspeccionar factores como segmentación, oportunidades, desarrollos industriales, tendencias, crecimiento, tamaño, participación y restricciones. Este análisis está sujeto a modificaciones si los actores clave y el probable análisis de la dinámica del mercado cambian y afectan el período de pronóstico. Con estudios detallados realizados, también ofrece una completa.
| Atributos | Detalles |
|---|---|
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Valor del tamaño del mercado en |
US$ 0.08 Billion en 2025 |
|
Valor del tamaño del mercado por |
US$ 1.06 Billion por 2034 |
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Tasa de crecimiento |
Tasa CAGR de 33.56% desde 2025 to 2034 |
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Periodo de pronóstico |
2025-2034 |
|
Año base |
2024 |
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Datos históricos disponibles |
Sí |
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Alcance regional |
Global |
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Segmentos cubiertos |
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Por tipo
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Por aplicación
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Preguntas frecuentes
Se espera que el mercado mundial de dispositivos de energía de SiC y GaN alcance los 1.060 millones de dólares en 2034.
Se espera que el mercado de dispositivos de energía de SiC y GaN muestre una tasa compuesta anual del 33,56% para 2034.
Los avances tecnológicos y las energías renovables son algunos de los factores impulsores del mercado de dispositivos de energía de SiC y GaN.
La segmentación clave del mercado, que incluye, según el tipo, el mercado de dispositivos de potencia de SiC y GaN se clasifica como GaN y SiC. Según la aplicación, el mercado de dispositivos de potencia de SiC y GaN se clasifica como electrónica de consumo, automoción y transporte y uso industrial.
A partir de 2025, el mercado mundial de dispositivos de energía de SiC y GaN está valorado en 0,08 mil millones de dólares.
Los principales actores incluyen: Efficient Power Conversion (EPC), Microchip Technology, Mitsubishi, GeneSic, VisIC Technologies LTD, Toshiba, GaN Systems, STMicro, Infineon, Fuji, Rohm, United Silicon Carbide Inc.,